射频
低噪放系列
- 基于GaAs工艺开发
- 工作频段覆盖8.5GHz以下频段
- 可完全兼容业界主流产品
驱动放大器系列
- 基于GaAs HBT工艺开发
- 工作频段覆盖0.7-7.2GHz
- 可完全兼容业界主流产品
开关系列
- 基于SOI工艺开发SPDT、SP4T、SP5T开关产品系列
- 具有宽频带,高隔离度,高耐功率等特点
- 可完全兼容行业主流产品
开关低噪放Rx FEM系列
- 工作频段覆盖2.3-5GHz
- 开关抗烧毁功率达20W
- 在国内主流设备厂商大批量出货
可变增益放大器系列
- GaAs HBT/pHEMT放大器,SOI衰减器
- 工作频段覆盖0.4-4.2GHz
- 高集成度,高线性,低噪声
高性能AD/DA及模拟器件
- 基于CMOS工艺模拟类器件
- 包括高性能ADC,DAC,BandGap,模拟开关,Temperature sensor,时钟驱动器件等
- 典型应用场景:GaN/LDMOS控制器(48/32路DACs)、PA 栅压开关、电路检测高精度运放
分立式GaN管芯系列
- 提供2.6/3.5GHz多级分立式GaN管芯系列,Doherty架构
- 具有高增益、高效率等特点