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射频

低噪放系列

  • 基于GaAs工艺开发
  • 工作频段覆盖8.5GHz以下频段
  • 可完全兼容业界主流产品


驱动放大器系列

  • 基于GaAs HBT工艺开发
  • 工作频段覆盖0.7-7.2GHz
  • 可完全兼容业界主流产品


开关系列

  • 基于SOI工艺开发SPDT、SP4T、SP5T开关产品系列
  • 具有宽频带,高隔离度,高耐功率等特点
  • 可完全兼容行业主流产品


开关低噪放Rx FEM系列

  • 工作频段覆盖2.3-5GHz
  • 开关抗烧毁功率达20W
  • 在国内主流设备厂商大批量出货


可变增益放大器系列

  • GaAs HBT/pHEMT放大器,SOI衰减器
  • 工作频段覆盖0.4-4.2GHz
  • 高集成度,高线性,低噪声


高性能AD/DA及模拟器件

  • 基于CMOS工艺模拟类器件
  • 包括高性能ADC,DAC,BandGap,模拟开关,Temperature sensor,时钟驱动器件等
  • 典型应用场景:GaN/LDMOS控制器(48/32路DACs)、PA 栅压开关、电路检测高精度运放


分立式GaN管芯系列

  • 提供2.6/3.5GHz多级分立式GaN管芯系列,Doherty架构
  • 具有高增益、高效率等特点


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或拨打咨询热线:028-64101094

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