内容来自「中国日报」

中国最高行业监管机构将重要的半导体基础材料碳化硅（SiC）纳入工业技术创新发展五年计划。专家表示，此举是工业和信息化部引导碳基材料发展以支持芯片创新和发展的更广泛努力的一部分。碳基材料可以很好地替代硅基半导体材料，它们是中国旨在实现突破的第三代半导体技术的重要组成部分。

工信部表示，将碳基材料列入原材料产业发展“十四五”规划（2021-25），将碳化硅和碳基复合材料列入“十四五”产业技术创新发展规划。更大的目标是支持行业攻克技术壁垒，提升产品质量，推动产业链现代化。

东兴证券在一份研究报告中表示，在大量自然储量中发现的硅已成为制造芯片和设备的最重要原材料。90%以上的半导体产品都是用硅作为基板。
但受限于材料本身的特性，硅基功率器件逐渐无法满足5G、新能源汽车、高铁等新兴应用对大功率高频器件的需求。因此，碳化硅有望部分替代硅，成为制备高压高频器件的新型衬底材料，东兴证券表示。

随着中国在“后摩尔时代”寻求第三代芯片的突破，碳化硅是第三代半导体技术的重要材料。1975 年，英特尔联合创始人戈登摩尔制定了一个规则，即硅芯片上的晶体管数量大约每两年翻一番。但快速的技术进步可能会使该规则在未来过时。

5月，刘鹤副总理出席的政府会议讨论了后摩尔时代集成电路或 IC 的潜在颠覆性技术。粤凯证券在研报中表示，第三代半导体技术显然是重要的发展方向，其下游应用主要集中在5G基站、新能源充电桩、城际高铁等领域。

第三代半导体技术为中国芯片制造商追赶外国同行提供了良机。第三代半导体产品主要采用成熟的制造和加工技术，与传统的硅基半导体技术相比，国内制造商面临的障碍较少。

电信行业协会信息消费联盟理事长项立刚表示：“第三代半导体技术应用的主战场在中国，但国内企业要解决一个字符串问题还需要很长时间。在广泛普及这些技术之前面临的挑战。”